首页 > 商品目录 > > > > RS1E220ATTB1代替型号比较

RS1E220ATTB1  与  BSC084P03NS3 G  区别

型号 RS1E220ATTB1 BSC084P03NS3 G
唯样编号 A33-RS1E220ATTB1-3 A-BSC084P03NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.1mΩ
上升时间 - 134ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta) 69W
Qg-栅极电荷 - 58 nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.1mOhm@22A,10V -
栅极电压Vgs 2.5V@2mA 3.1V
正向跨导 - 最小值 - 33S
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-HSOP -
连续漏极电流Id 22A(Ta),76A(Tc) 78.6A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
系列 - OptiMOSP3
通道数量 - 1 Channel
长度 - 5.9mm
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg 130nC@10V -
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 16ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 2,400 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥12.3805
50+ :  ¥7.8385
100+ :  ¥7.2731
500+ :  ¥6.8898
1,000+ :  ¥6.8227
2,000+ :  ¥6.7652
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E220ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

22A(Ta),76A(Tc) P-Channel 2.5V@2mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥12.3805 

阶梯数 价格
20: ¥12.3805
50: ¥7.8385
100: ¥7.2731
500: ¥6.8898
1,000: ¥6.8227
2,000: ¥6.7652
2,400 当前型号
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC084P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3GATMA1_P-Channel 78.6A 69W 6.1mΩ 30V 3.1V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消